基片温度相关论文
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和......
１引言 以硅化铁为中心的金属硅化物薄膜可以采用溅射、真空蒸镀、分子束外延技术、离子注入等诸多方法制作，并对其单晶性能和电子结......
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态......
采用电子束沉积技术成功制备了以碱土金属硫化物为基质材料、稀土元素离子作为激活中心的输出红光的红外上转换及光存储薄膜材料ＣａＳＥｕ，Ｓｍ。......
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
电致变色材料及器件在节能窗、变色车窗、军事防伪等方面均有着广阔的应用前景,在无机变色器件中常选择氧化钨作为主变色材料,但大......
基于实际应用的需要,本论文主要研究了如何在坡莫合金薄膜尽可能薄的情况下,提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)及磁性能的方法,......
本文用苯作工作气体，在一个微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。对苯等离子体作......
采用直流反应磁控溅射的方式,用AlCr合金靶,在高速钢(M2)上沉积CrAlN涂层。采用扫描电镜、X射线衍射、能谱和纳米压痕仪等分析和测......
采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的ＣｏＳｉＯ２ 颗粒膜样品，并对样品的巨磁电阻效应进行了研究．在Ｃｏ３５（ＳｉＯ２）６５（ 体积百分比） 颗粒膜样品中，观测......
用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测......
对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ......
Sol-Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN 单晶作为靶材,用PLD技术在透明石英单晶(100)基片上制备高取向透......
在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并......
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅......
报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB......
为准确测量^(10)B(n,α)7Li和^(10)B(n,t2α)的反应截面,需制备质量厚度为50~350μg/cm^(2)的^(10)B靶。本文系统研究了同位素^(10......
采用直流反应磁控溅射法,在不同的基片温度条件下制备出具有不同微观结构的WO3薄膜,探讨这些薄膜作为气敏材料对NO2气体的气敏特性......
以SFe／O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si．当功率为500W，偏压为250V，气体流量45mL／min．压力分别为2．7Pa、6．7Pa、11Pa时，基片温度的改变对其刻......
制备了摩尔比为1：1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5：95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程......
本文用磁控溅射方法制备出一系列Ni80Fe20磁性薄膜，研究不同基片温度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。基片温度在150～180℃时制备......
用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜......
采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在硅和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜.实验表明:基片温度、氧气压以及热处理对薄膜的沉积速率......
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta（x）/Ni81Fe19（100nm）/Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影......
采用射频（RF）磁控溅射技术制备了用于全固态薄膜锂电池的非品态和多品LiCoO2阴极薄膜，利用XRD和SEM研究了沉积温度对LiCoO2薄膜结构和......
采用磁控溅射法在Si（100）、Si（111）和玻璃基片上原位沉积MnZn铁氧体薄膜,用X线衍射（XRD）仪、场发射扫描电子显微镜（FESEM）表征薄膜的物相结......
利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜，在50℃～200℃之间，研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明，随着......
采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体在玻璃基片上沉积了单相γ′-Fe4N薄膜, 采用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)对......
采用电子回旋共振等离子离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＣＶＤ）方法，以苯为气源，在不同基片温度下制备了氢化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ），对样品进行了伏安特性测试，考察了基......
以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基......
为了制备具有紫外光电特性的TiO2薄膜,采用直流磁控溅射（DC）的方法在不同温度的玻璃基片上制备了TiO2薄膜。通过用X射线衍射（XRD）、扫......
利用强流脉冲离子束(High-intensity pulsed ion beam-HIPIB)烧蚀等离子体技术在Si(100)基体上沉积类金刚石(Diamond-like carbon-......
以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在MgO（100）基片上制备了b轴取向的BaTi2O5薄膜,研究了基片温度（Tsub）、氧分压（Po2）等沉积工艺对薄膜结构的影响......
为了研究衬底温度对Al2O3薄膜表面形貌和绝缘性的影响,用奥氏体不锈钢作衬底,在不同温度下用直流反应磁空溅射法直接衬底Al2O3薄膜......
在基片加热的条件下,高纯硅靶在甲烷和氩的混合气氛中,采用直流平面磁控反应溅射,可以制备具有光电响应的氢化非晶碳硅合金薄膜。......
用 X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的 Fe- N 薄膜的相组成和磁性能.结果表明,基片温度对不同基片上制得的......
SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点.在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和......
采用磁控共溅射法在Al2O3（0001）基片上沉积了Zn1-xCoxO（x=0.08～0.31%）薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果表明：A......
采用了电子束蒸发在Si（100）片沉积了碳化硼（B4C）薄膜,并用傅里叶变换衰减全反射红外光谱（ATR FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）对薄膜样品组分......
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅......
利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta（4nm）/NiO（t）/Ni81Fe19（20nm）/NiO（t）/Ta（3nm）系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片......
采用电子束蒸发法在Si（111）基片上制备厚度约为100rim的Ni81Fe19薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明，随着基......
利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结......
采用离子束反应溅射法在玻璃基片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品XRD谱的分析,发现基片温度和溅射氧分压是同时影响ZnO......
采用脉冲激光沉积技术，在Si（100）基片上制备了高致密的氧化铱（IrO2）薄膜，研究了不同沉积温度对薄膜结构的影响。利用X射线衍射（XRD）、拉曼......
在玻璃基片上直流磁控溅射沉积氧化铋薄膜,基片温度从室温增加到300℃并保持其它沉积条件一致,研究基片温度对薄膜光学性能的影响.......
